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首頁進(jìn)口晶振MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器

    MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器

  • 規(guī)格型號：19986685
  • 頻率：1.25 MHz ~100.0 MHz
  • 尺寸：25.4x25.4 mm
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  • 產(chǎn)品描述：貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)...
       MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器，石英晶體振蕩器在設(shè)計時就與各款型號IC匹配等相關(guān)技術(shù)，使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù)：是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計等有它的特殊性，必須考慮振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù)。
插件式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
     石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。
     石英晶振真空退火技術(shù)：晶振廠家高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器,
石英晶振規(guī)格 單位 OC11T    25.4*25.4mm 晶振說明 進(jìn)口振蕩器基本條件
額定頻率范圍 f_nom 1.25 MHz ~100.0 MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度 T_stg -40°C ～ +85°C 裸存
工作溫度 T_use -10°C ～ +70°C 標(biāo)準(zhǔn)溫度
電源電壓 SV 2.5V 1.8V 3.3V 5V 12V  
頻率公差 f_— l ±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用)		 +25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息.
頻率溫度特征 f_tem ±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 CL 15pF 超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻（ESR） R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
 


    粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制石英晶振）
    鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用SMD晶振產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。 
    靜電
過高的靜電可能會損壞恒溫晶振產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。
MERCURY晶振集團(tuán)認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,恒溫晶振同時也認(rèn)識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
過去MERCURY晶振集團(tuán)已經(jīng)針對重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn)。
MERCURY晶振集團(tuán)將：插件晶振不論何時何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防。為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評審提供框架。通過充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對自然資源的保持。
MERCURY晶振集團(tuán)將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動。 在地方對各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,高穩(wěn)定性恒溫振蕩器確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器。

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