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- 規(guī)格型號(hào)：23458644
- 頻率：10~400MHZ
- 尺寸：5.0*3.2mm
- 產(chǎn)品描述：Sunny晶振,SLV-G53晶振,SLV-G533330GDDSR24.000M晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊...
Sunny晶振,SLV-G53晶振,SLV-G533330GDDSR–24.000M晶振
航欄(10).jpg)
Sunny晶振,SLV-G53晶振,SLV-G533330GDDSR–24.000M晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
Sunny晶振公司發(fā)展歷史
2020年6月 開(kāi)發(fā)出面向 5G 的超低相位噪聲 CMOS XO;開(kāi)發(fā) -40°C 至 150°C 工作 3225 晶體諧振器
2020年11月 開(kāi)發(fā)2520、2016熱敏電阻晶體;SX-32、SX-21 的高度可靠的焊點(diǎn)測(cè)試完成
2021年9月 最終選定為產(chǎn)業(yè)通商資源部主辦的 AEC-Q200 可靠性利用支持項(xiàng)目2020年6月 開(kāi)發(fā)出面向 5G 的超低相位噪聲 CMOS XO;開(kāi)發(fā) -40°C 至 150°C 工作 3225 晶體諧振器
2020年11月 開(kāi)發(fā)2520、2016熱敏電阻晶體;SX-32、SX-21 的高度可靠的焊點(diǎn)測(cè)試完成
2021年10月 最終選定為政府支持的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目開(kāi)發(fā)可在-40℃至+150℃溫度范圍內(nèi)運(yùn)行的車輛用高可靠性晶體諧振器；
優(yōu)秀陽(yáng)光電子公司下屬研究所創(chuàng)建了研究人員和實(shí)驗(yàn)室打造具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的基礎(chǔ)上,積極以追求客戶滿意的最大化進(jìn)行了各種研究.韓國(guó)測(cè)試的全過(guò)程,并持有該國(guó)最大的研究者優(yōu)秀的研究具有滿腔的熱情為高科技發(fā)展的最佳實(shí)驗(yàn)室SUNNY是在世界市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力.
韓國(guó)Sunny晶體公司于1966年創(chuàng)立,次年Sunny晶振公司開(kāi)始生產(chǎn)普通晶體,直到1983年才成功制造出振蕩器產(chǎn)品.主要研發(fā)生產(chǎn)SUNNY晶振,SUNNY有源晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體等頻率元件.采用無(wú)鉛無(wú)害環(huán)保材料生產(chǎn),具有耐高溫,高精度,低損耗,低抖動(dòng)等特點(diǎn).Sunny晶振,SLV-G53晶振,SLV-G533330GDDSR–24.000M晶振.
| ITEM | Value | Remarks |
| Output Logic Type | LVDS | LVDS VCXO |
| Frequency Range | 10.000 MHz to 400.000 MHz | |
| Supply Voltage(V DD ) |
1.8 V DC to 3.3 V DC2.5 V DC ±5 %, 3.3 V DC ±5 % |
|
| Operating Temperature Range | -20 to +70 ℃, -40 to +85 ℃ | |
| Storage Temperature Range | -55 to +125 ℃ | |
| Frequency Stability | ±25ppm, ±50ppm, ±100ppm Max. |
Over Operating Temperature range |
| Input Current | 45mA max. at 2.5 V, 65mA Max. at 3.3 V | With Load |
| Output Voltage Logic High(V OH) | 1.43 VTyp., 1.60 V Max. | |
|
Output Voltage Logic Low(V OL ) |
1.10 VTyp., 0.90 V Min. | |
|
Differential Output Voltage(V OD ) |
247 mV Min., 330 mV Typ., 454 mV Max. | |
|
Offset Voltage(V OS ) |
1.125 V Min., 1.250 V Typ., 1.375 V Max. | |
| Rise / Fall Time | 0.3 ns Typ., 0.7 ns Max. |
Measured over 20 % to 80 % of waveform |
| Duty Cycle | 45 to 55 %, 40 to 60 % | Measured at 50 % of waveform |
| Start-up Time | 10 ms Max. | |
| Output Load Condition(LVDS) | 100 Ω |
Between Output and Complementary Output |
| Frequency Deviation | ±50 ppm, ±80 ppm, ±100 ppm Min. | Over Vc range |
| Control Voltage(Vc) | 1.25 ±1.05 V, 1.65 ±1.35 V | Please specify |
| Linearity | 15 % Max. | |
|
Output Enable Function (V IHand V IL) |
70 % of V DD min. to Enable Output 30 % of V DD max. to Disable Output |
High Impedance |
| RMS Phase Jitter | 0.5 ps Typ., 1 ps Max. | BW : 12 kHz to 20 MHz |
| Frequency Aging | ±5 ppm Max. | 25 ℃, First year |
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耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.Sunny晶振,SLV-G53晶振,SLV-G533330GDDSR–24.000M晶振.
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