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首頁(yè)帝國(guó)博客 CTS的新型小封裝的416系列,具有高精度高靈活性能416F50033AKR

CTS的新型小封裝的416系列,具有高精度高靈活性能416F50033AKR

來(lái)源：http://www.128vod.com 作者：lzf 2022年06月27
石英的壓電特性是由雅克·居里和皮埃爾·居里在1880年發(fā)現(xiàn)的。第一臺(tái)石英晶體振蕩器由Walter G. Cady在1921年建造。1923年，戴伊在國(guó)家英國(guó)物理實(shí)驗(yàn)室和貝爾電話實(shí)驗(yàn)室的Warren Marrison用石英振蕩器制作了一系列精確時(shí)間信號(hào)。
石英板在受到電的作用時(shí)表現(xiàn)出機(jī)械運(yùn)動(dòng)或應(yīng)變電荷和相反，它們?cè)谑艿捷d荷時(shí)顯示出不同的電位到機(jī)械應(yīng)力。這種電應(yīng)力和機(jī)械運(yùn)動(dòng)之間的關(guān)系被稱為壓電效應(yīng)。
壓電諧振器的機(jī)械振動(dòng)有四種基本模式。
1. 撓曲模式
2. 剪切模式
3.縱向模式
4. 扭轉(zhuǎn)模式。CTS的新型小封裝的416系列,具有高精度高靈活性能416F50033AKR
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削減在水晶石英的壓電特性是由雅克·居里和皮埃爾·居里在1880年發(fā)現(xiàn)的。第一臺(tái)石英晶體振蕩器由Walter G. Cady在1921年建造。1923年，戴伊在國(guó)家英國(guó)物理實(shí)驗(yàn)室和貝爾電話實(shí)驗(yàn)室的Warren Marrison用石英振蕩器制作了一系列精確時(shí)間信號(hào)。最常見(jiàn)的水晶設(shè)計(jì)之一是AT切割水晶和將是整個(gè)應(yīng)用程序注意引用水晶類型。對(duì)于1MHz以上的頻率，通常只采用厚度剪切振動(dòng)模式。確定了AT切割晶體的頻率根據(jù)晶體的厚度，即晶體越薄，頻率越高。振動(dòng)質(zhì)量晶體等效于串聯(lián)運(yùn)動(dòng)電感L1．
晶體的機(jī)械損耗表現(xiàn)為等效串聯(lián)電阻R1，晶體的機(jī)械彈性相當(dāng)于串聯(lián)電容器C1．
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C0是與支架相關(guān)的并聯(lián)電容還有電極電容。AT切割晶體具有良好的穩(wěn)定性與溫度特性，這是它們受歡迎的原因之一。
除非另有說(shuō)明，AT Cut晶體將以基本模式運(yùn)行。然而，任何AT晶體都有可能在其中工作的泛音或奇數(shù)倍基本模式。這意味著一個(gè)10MHz基本晶體將在10MHz，在30MHz[3泛音]，在50MHz[5泛音]，等等。overtone的用法[奇諧波]
允許高頻操作同時(shí)保持更厚的石英晶片。
石英晶體的等效電路如下所示。可以指定每個(gè)組件來(lái)幫助描述設(shè)備的獨(dú)特屬性。在定義石英晶體的規(guī)格時(shí)，應(yīng)檢查等效電路的各個(gè)參數(shù)。對(duì)于所有的設(shè)計(jì)，都有每種水晶設(shè)計(jì)的限制。
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L1晶體的運(yùn)動(dòng)電感是由運(yùn)動(dòng)石英的機(jī)械質(zhì)量決定的。較低的頻率[較厚和較大的石英晶圓]往往運(yùn)行在幾個(gè)亨利高頻率(更薄、更小的石英晶圓)往往以幾毫亨利的速度運(yùn)行。L1與C1由下式定義。最好有客戶指定C1[如果需要]，然后指定L1可以計(jì)算。
C1移動(dòng)電容由石英的剛度決定(它是恒定的)晶體表面的金屬化面積[電極尺寸]以及晶體的厚度和形狀晶片。在較低的頻率下，晶圓片必須被塑造[輪廓或斜面]以提高性能。這會(huì)降低C1的設(shè)備。基模晶體的C1是可變的從大約0.005pF到0.030pF。一般來(lái)說(shuō)，如果一個(gè)基本設(shè)計(jì)被用于泛音，C1除以泛音的平方。[第三泛音是基本音的1/9]
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R1:運(yùn)動(dòng)電阻是石英晶體等效電路的電阻元件。這種阻力表示晶體在固有諧振頻率[串聯(lián)諧振]下的等效阻抗。對(duì)于給定的晶體Q和串聯(lián)諧振頻率，運(yùn)動(dòng)電阻與晶體的活性區(qū)域活性面積與電極面積大致相同。因此晶體越小，R1越大． 在實(shí)踐中，小晶體的Q沒(méi)有大晶體高的人。降低的Q也有助于更高的R1． 如果電路沒(méi)有調(diào)整以適應(yīng)R1越高，這可能會(huì)導(dǎo)致振蕩器啟動(dòng)問(wèn)題。
晶體的并聯(lián)電容部分是由于晶圓的厚度。這是不振動(dòng)時(shí)的測(cè)量電容。并聯(lián)電容范圍為1 ~ 7pf。這不是典型的由于與振蕩器電路兼容，超過(guò)7pF。
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